- العنوان: defects and radiation effects in semiconducors albany,j.h.
- رقم التسجيل : 256913
- رقم التصنيف: 537.622 ID.5
- المؤلف: international conference on defects and radiation
- الطبعة: 1st ed.
- مكان النشر والناشر: Bristol Institute of physics
- تاريخ النشر: 1979
- عدد النسخ: 1
- الرقم الدولي: 0-85498-137-3
- رؤوس الموضوعات: /semiconductors--defecs--congresses./ /semiconductors,effect of radiation on--congrtesses./
مساعدة - بحث جديد - الصفحة الرئيسية - English
نسخة تجريبية |
© جميع حقوق النشر محفوظة لجامعة بغداد / الامانة العامة للمكتبة المركزية 2012